图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 TLE214x, TLE214xA |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 75 |
| Amplifier 型 | General Purpose |
| 数字电路 | 1 |
| Output 型 | - |
| 转换率 | 45 V/µs |
| 增益带宽积 | 5.9MHz |
| -3db带宽 | - |
| 电流 - 输入偏压 | 700nA |
| - 输入电压偏移 | 200µV |
| 电流 - 电源 | 3.5mA |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| None | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
| 操作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 8SOIC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 典型增益带宽积 | 5.8 MHz |
| 典型的转换率 | 45@5V V/us |
| 最大电源电流 | 4.4@5V mA |
| 最大输入失调电压 | 1.4@5V mV |
| 最大输入偏置电流 | 2@5V uA |
| 典型输入噪声电压密度 | 15@5V nV/rtHz |
| 最低CMRR | 85 dB |
| 最小单电源电压 | 4 V |
| 最大单电源电压 | 44 V |
| 最小双电源电压 | ±2 V |
| 最大双电源电压 | ±22 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55 to 125 °C |
| 典型的同相输入噪声电流密度 | 1.92@5V pA/rtHz |
| 典型电压增益 | 106.85 dB |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 制造商类型 | Wideband Amplifier |
| 典型的单电源电压 | 5|9|12|15|18|24|28 |
| 轨至轨 | No |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 筛选等级 | Military |
| 最大双电源电压 | ±22 |
| 最大输入偏置电流 | 2@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大电源电流 | 4.4@5V |
| 典型增益带宽积 | 5.8 |
| 典型电压增益 | 106.85 |
| 电源类型 | Single|Dual |
| 最低CMRR | 85 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 125 |
| 最大单电源电压 | 44 |
| 最小双电源电压 | ±2 |
| 典型双电源电压 | ±3|±5|±9|±12|±15|±18 |
| 关机支持 | No |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.1@5V |
| 最大输入失调电压 | 1.4@5V |
| 最小单电源电压 | 4 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 封装 | Tube |
| 典型的转换率 | 45@5V |
| 技术 | BiCOM |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| 放大器类型 | General Purpose |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 电流 - 电源 | 3.5mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 45 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 700nA |
| 电压 - 输入偏移 | 200µV |
| 电路数 | 1 |
| 增益带宽积 | 5.9MHz |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 电源电流 | 4.5 mA |
| 工作电源电压 | 4 V to 44 V, +/- 2 V to +/- 22 V |
| 产品种类 | Operational Amplifiers - Op Amps |
| 共模抑制比 - 闵 | 85 dB |
| 单位重量 | 0.002677 oz |
| 通道数 | 1 Channel |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 输入偏置电流 - 最大 | 2 uA |
| 关机 | No Shutdown |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输出电流 | 50 mA |
| 系列 | TLE2141 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 输入失调电压 | 1.4 mV |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 工作温度范围 | -55C to 125C |
| 包装类型 | SOIC |
| 元件数 | 1 |
| 共模抑制比 | 85 dB |
| 工作温度分类 | Military |
| 输入偏置电流 | 2000 nA |
| 电源要求 | Single/Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | �2 V |
| 铁/铁I / O类型 | No |
| 关机功能 | No |
| 弧度硬化 | No |
| 单电源电压（最小值） | 4 V |
| 单电源电压（最大值） | 44 V |
| 单电源电压（典型值） | 5/9/12/15/18/24/28 V |
| Dual Supply Voltage (Max) | �22 V |
| 电压增益（dB） | 106.85 dB |
| 单位增益带宽积 | 5.8MHz |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -55 to 125 |
| Package | Pins | SOIC (D) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 75 | SMALL T&R |
| New Flag | |
| Functional Diagram | |
| CMRR | 85 |
| GBW | 5.8 |
| Reference Design | |
| HiRel | |
| Package Group | PDIP SOIC |
| BW @ Acl | |
| Vs | 44 |
| Iib | |
| 附加功能 | |
| Rail-to-Rail | |
| 工作温度范围 | -55 to 125 |
| IIB | 2000000 |
| Datasheet | SLOS183D |
| 建筑 | |
| Vn at Flatband | |
| Iq per channel | 4.4 |
| TI Design | |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) | 1.4 |
| Rating | Catalog |
| Offset Drift | 1.7 |
| Vn at 1kHz | 10.5 |
| Total Supply Voltage | 4 |
| Acl, min spec gain | |
| Settling Time (01%) | |
| Offset Voltage Drift (+/-) | |
| Io | |
| 电源类型 | Single, Dual |
| 工作电源电流 | 3.5 mA |
| 双电源电压 | +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V |
| Ib - Input Bias Current | 1.5 uA |
| 产品 | Precision Amplifiers |
| GBP - Gain Bandwidth Product | 5.8 MHz |
| 品牌 | Texas Instruments |
| CMRR - Common Mode Rejection Ratio | 85 dB |
| SR - Slew Rate | 45 V/us |
| en - Input Voltage Noise Density | 15 nV/sqrt Hz |
| 长度 | 4.9 mm |
| 电源电压 - 最大 | 44 V |
| In - Input Noise Current Density | 1.92 pA/sqrt Hz |
| 电源电压 - 最小 | 4 V |
| 电压增益dB | 106.85 dB |
| Vos - Input Offset Voltage | 1.4 mV |
| Output Current per Channel | 50 mA |
| 身高 | 1.58 mm |
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